IS61DDB21M18A-300M3L
制造廠商:ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc. 芯成半導體)
類別封裝:存儲器,產品封裝:165-LBGA
技術參數(shù):IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
(專注銷售ISSI電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當天發(fā)貨!)
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參數(shù)詳情:
制造商產品型號:IS61DDB21M18A-300M3L制造商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA產品系列:存儲器包裝:托盤系列:-零件狀態(tài):有源存儲器類型:易失存儲器格式:SRAM技術:SRAM - 同步,DDR II存儲容量:18Mb(1M x 18)存儲器接口:并聯(lián)時鐘頻率:300MHz寫周期時間-字,頁:-訪問時間:-電壓-供電:1.71V ~ 1.89V工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)安裝類型:表面貼裝型產品封裝:165-LBGAIS61DDB21M18A-300M3L的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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